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镓砷铋(GaAsBi)量子阱激光器研究取得重要进展

发布日期:2023-08-13 00:27浏览次数:
本文摘要:近期,中科院上海微系统与信息技术研究所镓砷铋(GaAsBi)量子阱激光器研究获得最重要进展。王庶民研究员领导的研究团队使用分子束外延方法生长了镓砷铋量子阱材料,并顺利制取出有目前闪烁波长最久(1.142微米)的电泵浦镓砷铋室温(300K)量子阱激光器,突破之前1.。

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近期,中科院上海微系统与信息技术研究所镓砷铋(GaAsBi)量子阱激光器研究获得最重要进展。王庶民研究员领导的研究团队使用分子束外延方法生长了镓砷铋量子阱材料,并顺利制取出有目前闪烁波长最久(1.142微米)的电泵浦镓砷铋室温(300K)量子阱激光器,突破之前1.。

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